Соединения Кадмий, Цинк, Теллур. Нас интересуют кристаллы произведенные по методу Бриджемена. С вязаться с нами можно в Контактах.

Соединение

Размер (мм)

p-Тип

n-Тип

Cd0.9 Zn0.1 Te

15*15*10

1

1

Cd0.8 Zn0.2 Te

15*15*10

1

1

Cd0.9 Zn0.1 Te

15*15*5

2

2

Cd0.8 Zn0.2 Te

15*15*5

2

2

Реализуем кремний оптический в слитках , выращенный методом безтигельной зонной плавки (БЗП, FLOAT ZONE-Si) для компаний производящих оптические компоненты (для производства зеркал для мощных лазеров, линз и окон) . Удельное электрическое сопротивление от 1000 ом и до 10000 ом, время жизни от 100 мс до 3000 мс, диамметром от 20 мм и до 35 мм.

Кадмий-теллур-ртуть

Несмотря на разработки инфракрасных фотоприемников (ИК ФП) на альтернативных материалах, твердые растворы кадмий-ртуть-теллур CdXHg1-ХTe (КРТ) остаются базовым материалом для ИК ФП с предельными обнаружительными способностями благодаря своим уникальным физическим свойствам. Число элементов в фотоприемных матрицах на основе КРТ превысило миллион и предполагается дальнейшее увеличение числа элементов в матрицах. Совершенно очевидно, что необходимо развитие технологии производства пленок КРТ большой площади свысокой однородностью.

Арсенид галлия (GaAs) – сложный полупроводник, состоящий из двух элементов, галлия (Ga) и мышьяка (As). Галлий является побочным продуктом плавления других металлов, в частности, алюминия и цинка и, фактически, сравним по своей редкости и ценности с золотом. Мышьяк – не такой редкий, но ядовитый материал. Арсенид галлия, используемый для солнечных панелей, разрабатывался наряду с арсенидом галлия для светоиспукающих диодов, лазеров и других оптоэлектронных приборов.

Даная технология относится к области получения монокристаллов полупроводниковых материалов и может быть использована при получении монокристаллов кремния методом Чохральского.
В начале процесса роста монокристалла, часть затравочного монокристалла расплавляется для устранения в нем участков с повышенной плотностью механических напряжений и дефектами. Затем происходит постепенное вытягивание монокристалла из расплава.

Фторидно-гидридная технология получения поликристаллического солнечного кремния
Кремний солнечной градации (SG) по содержанию электрически активных примесей занимает промежуточное значение между кремнием металлургической градации (MG) и кремнием электронной градации (EG). Существует гипотетический баланс между его ценой и уровнем качества, определяющим эффективность фотовольтаических систем (PV-систем), изготовленных с его применением. Например, соотношение цены 1 кг кремния к эффективности PV-систем, как 25$/14,5% в настоящее время считается удовлетворительным для производителей PV-систем, однако труднодостижимым для производителей кремния. По крайней мере, нет достаточно достоверных данных о возможности производства кремния SG по цене 25$/кг. Создание малозатратной технологии крупнотоннажного производства кремния ...

Кремний (лат. Silicium), Si, химический элемент IV группы периодической системы Менделеева; атомный номер 14, атомная масса 28,086. В природе элемент представлен тремя стабильными изотопами: 28Si (92,27%), 29Si (4,68%) и 30Si (3,05%).