Соединения Кадмий, Цинк, Теллур. Нас интересуют кристаллы произведенные по методу Бриджемена. С вязаться с нами можно в Контактах.

Соединение

Размер (мм)

p-Тип

n-Тип

Cd0.9 Zn0.1 Te

15*15*10

1

1

Cd0.8 Zn0.2 Te

15*15*10

1

1

Cd0.9 Zn0.1 Te

15*15*5

2

2

Cd0.8 Zn0.2 Te

15*15*5

2

2

Реализуем кремний оптический в слитках , выращенный методом безтигельной зонной плавки (БЗП, FLOAT ZONE-Si) для компаний производящих оптические компоненты (для производства зеркал для мощных лазеров, линз и окон) . Удельное электрическое сопротивление от 1000 ом и до 10000 ом, время жизни от 100 мс до 3000 мс, диамметром от 20 мм и до 35 мм.

Германат висмута – синтетический монокристалл, менее прочный, чем кварц и ниобат лития (твердость равна 4,5 по шкале Мооса), плотность равна 9,26 г/см 3 , температура плавления – 930 °С. Предпочтительно использовать германат висмута для линий задержки с большим значением времени задержки и для фильтров со сложной топологией, так как этот материал имеет очень низкую скорость ПАВ (1600–700 м/с). Промышленностью выпускаются кристаллы германата висмута больших размеров. Германат висмута гигроскопичен, поэтому требует герметичной упаковки. Этот кристалл химически довольно активен, он легко взаимодействует с минеральными и органическими кислотами. По этой причине для него ...

Кадмий-теллур-ртуть

Несмотря на разработки инфракрасных фотоприемников (ИК ФП) на альтернативных материалах, твердые растворы кадмий-ртуть-теллур CdXHg1-ХTe (КРТ) остаются базовым материалом для ИК ФП с предельными обнаружительными способностями благодаря своим уникальным физическим свойствам. Число элементов в фотоприемных матрицах на основе КРТ превысило миллион и предполагается дальнейшее увеличение числа элементов в матрицах. Совершенно очевидно, что необходимо развитие технологии производства пленок КРТ большой площади свысокой однородностью.

Германий – химический элемент с высоким показателем преломления, используемый при изготовления призм и полусфер для спектроскопии. Степень преломления позволяет производить эффективные светоделители с пропусканием 50 %, что исключает необходимость дальнейшего покрытия. Он также широко используется в качестве подложки для производства светофильтров.

Даная технология относится к области получения монокристаллов полупроводниковых материалов и может быть использована при получении монокристаллов кремния методом Чохральского.
В начале процесса роста монокристалла, часть затравочного монокристалла расплавляется для устранения в нем участков с повышенной плотностью механических напряжений и дефектами. Затем происходит постепенное вытягивание монокристалла из расплава.